这篇综述创新性地采用绝热近似框架（proper adiabatic approximation），将陷阱热电离过程建模为非辐射跃迁（nonradiative transition），揭示了传统热释光（TL）分析中忽略频率因子（prefactor）温度依赖性会导致陷阱深度（trap depth E）被高估约2-5%。研究通过YAG:Ce荧光体的 ...