断路器是一种用于保护电路免受过电流、过载及短路损坏的器件。机电式断路器 ( EMB) 作为业界公认的标准器件，包含两个独立触发装置：一个是双金属片，响应速度较慢，由过电流触发跳闸；另一个则是电磁装置，响应速度较快，由短路触发启动。EMB ...

20 世纪不间断电源刚问世时，其唯一用途是在停电时提供应急供电，而高昂的成本限制了它的应用范围。如今，随着电力电子技术的持续发展， UPS ...

盖世汽车讯 5月5日，为了赋能下一代固态配电系统，英飞凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）推出全新CoolSiC™ JFET产品系列，扩展其碳化硅（SiC）产品组合。这些新器件具有极低的传导损耗、可靠的关断能力和极高的稳定性，是高级固态保护和配电的理想选择。

目前市场上有6种不同类型的场效晶体管(FET)，在两类主要的FET中，增强型FET比耗尽型FET的应用要广泛得多。但耗尽型FET，尤其是接面场效晶体管(JFET)在模拟设计中仍占一席之地。 目前市场上有6种不同类型的场效晶体管(FET)，在两类主要的FET中，增强型FET比 ...

随着数据中心向更高电压的直流母线架构过渡，以满足能效提升和降低分配损耗的需求，电源接口的挑战变得更加重要。热插拔（Hot Swap）电路是这一基础设施中的关键要素，负责在不干扰整个系统的情况下安全地插入或移除电源。在典型的热插拔场景中，当 ...

Qorvo推出采用 TOLL 封装的 4mΩ 碳化硅（SiC）结型场效应晶体管（JFET）——UJ4N075004L8S。该产品专为包括固态断路器在内的电路保护应用而设计，UJ4N075004L8S 所具有的低电阻、卓越的热性能、小巧的尺寸和高可靠性等优点在上述应用中至关重要··· 中国 北京，2024 ...

安森美 (onsemi) 宣布已完成以1.15亿美元现金收购Qorvo碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET) 技术业务及其子公司United Silicon Carbide。 SiC JFET技术的加入将补足安森美广泛的EliteSiC电源产品组合，使其能应对人工智能（AI）数据中心电源AC-DC段对高能效和高功率密度的需求。

国际电子商情13日讯 安森美（onsemi）日前宣布了一项重大战略举措，以1.15亿美元收购Qorvo公司的碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）技术业务及其子公司United Silicon Carbide。 这一收购将显著提升安森美在碳化硅技术领域的市场地位，并增强其在电动汽车、工业 ...

昨日，SiC界又一新闻引发行业关注。安森美宣布1.15亿美元现金收购Qorvo碳化硅结型场效应晶体管 (SiC JFET) 技术业务，包括其子公司United Silicon Carbide（UnitedSiC）。该交易需满足惯例成交条件，预计将于2025年第一季度完成。此次收购预计将在5年内为安森美带来13亿 ...

1947年威廉.肖克利与他人共同发明了晶体管，属于双极型晶体管（Bipolarjunction Transistor）。此外，晶体管还有另外一个分支，叫场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）,由结型场效应管（Junction Field Effect Transistor，简称JFET，1952年诞生）和应用更为广泛的金属氧化 ...

安森美(onsemi) cascode FET （碳化硅共源共栅场效应晶体管）在硬开关和软开关应用中有诸多优势，本文将重点介绍Cascode结构。 Cascode简介 碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）相比其他竞争技术具有一些显著的优势，特别是在给定芯片面积下的低导通电阻（称为R DS.A ...

Qorvo has picked depletion-mode (normally-on) silicon carbide JFET technology to build a 750V 4.3mΩ transistor for circuit breakers, and put it in a 10 x 12mm surface-mount TOLL package. “It was ...