5G的快速部署，使得在基站中大量使用的功率放大器（PA,简称功放）芯片及其他射频组件的需求持续增长，成为各家射频公司争夺的焦点。 在基站应用中，主要用于增强射频信号的PA有两种技术路线，一种是采用硅工艺的LDMOS（Laterally-Diffused Metal-Oxide Semiconductor ...

相比其它半导体，GaN 是一种相对较新的技术，但它已然成为某些高射频、大功率应用的技术之选。虽然 LDMOS 技术目前仍在射频基站领域占有最大市场份额，但预计 GaN 将在 5G 大规模 MIMO 部署中逐渐取代 LDMOS。 在本系列的第一部分《5G 和 GaN 系列之一：全面了解 ...

3月27日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“LDMOS器件及其制备方法”的专利，授权公告号CN121487303B，授权公告日为2026年3月20日。申请公布号为CN121487303A，申请号为CN202610023786.1，申请公布日期为2026年3月20日，申请日期 ...

相比其它半导体，GaN 是一种相对较新的技术，但它已然成为某些高射频、大功率应用的技术之选。虽然LDMOS技术目前仍在射频基站领域占有最大市场份额，但预计GaN将在5G大规模MIMO部署中逐渐取代LDMOS。 在本系列的第一部分《5G和GaN系列之一：全面了解 Sub-6Ghz大 ...