电容- 电压（C-V）测量广泛用于半导体材料和器件表征，可提取氧化物电荷、界面陷阱、掺杂分布、平带电压等关键参数。传统基于SMU 施加电压并测量电流的准静态方法适用于硅MOS，但在SiC MOS器件上因电容更大易导致结果不稳定。为解决这一问题，Keithley 4200A-SCS ...

MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。 功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型 ...

在开关电源和电源适配器的设计中，MOSFET选型往往是影响整机效率、功率密度、成本与可靠性的关键环节，无论是消费级PD快充、工业级开关电源，还是嵌入式BMS电源管理，几乎所有的电子系统都离不开高效稳定的电源转换，而在这类电路中，MOSFET作为核心功率开关器件，其性能直接决定了电源的转换效率、功率密度、温升表现和长期可靠性。 不同功率等级、不同拓扑结构对MOSFET的参数要求各有侧重，由工采网代理 ...

电容-电压 (C-V) 测量广泛用于半导体材料和器件表征，可提取氧化物电荷、界面陷阱、掺杂分布、平带电压等关键参数。传统基于 SMU 施加电压并测量电流的准静态方法适用于硅 MOS，但在 SiC MOS 器件上因电容更大易导致结果不稳定。为解决这一问题，Keithley 4200A ...

MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。 功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型 ...

MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。 功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型 ...

.概述 MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。 功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指 ...

尽管消费设备需求放缓， MOSFET 芯片供应仍然紧张。台湾 MOSFET 供应商 Force mos Technology 连续4个月份营收创下历史新高。4月销售额同比大增15.85% 至 1.1 亿新台币（394 万美元），1-4 月收入同比大增 24.52% 至 4.27 亿新台币，亦创同期新高。 尽管消费设备 ...

极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件,其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关。 晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块 ...

据消息人士称，由于对其 MOSFET 产品和半成品 MOSFET 晶圆的强劲需求，MOSFET 供应商 Force-MOS Technology 的销售额在 5 月份继续增长。其 5 月收入达到新台币 1.12 亿元（合 381 万美元），较上月微增 0.02%。然而，根据公司数据，5月份的数据显示，同比大幅 ...

随着Intel 新一代的LGA775的CPU推出，主板厂必须提供更高规格的电源线路设计，以符合Intel的严格要求。相对的，主机板上的组件散热将成为一个重要的课题。有鉴于此，微星科技做了许多的测试与实验，研发出一个概念非常简单的技术，可大幅降低主机板上的MOS ...