IT之家 9 月 4 日消息，SK 海力士封装研发副社长李康旭（Kangwook Lee）于 9 月 3 日出席“2024 年异构集成全球峰会”，发表了名为“面向人工智能时代的 HBM 和先进封装技术”的演讲，表示公司正在开发 16 层 HBM4 内存。 Lee 在演讲中强调异构集成技术（封装不同工艺 ...

据韩国媒体报道称，SK海力士正在赢得下一代高带宽内存（HBM）市场。秘诀在于 MR-MUF技术，凭借这项自主研发的技术，SK海力士正在领先处于早期阶段的HBM市场，超越其竞争对手美光以及DRAM第一制造商三星电子。 据韩国媒体报道称，SK海力士正在赢得下一代高 ...

金属有机框架MUF-16用于湿燃后烟气中CO2捕获的模拟移动床（SMB）工艺研究。通过单组分等温线、突破曲线及SO2稳定性测试 ...

IT之家 3 月 4 日消息，据 TheElec，三星正在考虑在其下一代 DRAM 中应用模压填充（MUF）技术。三星最近测试了一种用于 3D 堆栈 (3DS) 内存的 MR MUF 工艺，与 TC NCF 相其吞吐量有所提升，但物理特性却出现了一定恶化。 经过测试，该公司得出结论，MUF 不适用于高带宽 ...

每经AI快讯，有投资者在投资者互动平台提问：有报道：Nvidia正在评估12层堆叠技术，这项技术的核心突破在于MUF材料，这是一种封装技术，在国内，飞凯材料被提及为MUF材料的供应商，有望从这一技术突破中获得10倍以上的增量。 请问：公司是否为MUF材料的供应商 ...

三星正在考虑在其下一代DRAM中应用模压填充（MUF）技术。 三星最近测试了一种用于 3D 堆栈 (3DS) 存储器的MUF 技术，与 TC NCF 相较其传输量有所提升。 据悉，MUF 是一种在半导体上打上数千个微小的孔，然后将上下层半导体连接的硅穿孔 (TSV) 技术后，注入到半导体 ...

CINNO Research产业资讯，SK海力士在新一代高带宽内存(HBM，High Bandwidth Memory)市场上，正展开乘胜追击。其秘诀正是得益于MR-MUF(Mass Reflow Molded Underfill)技术。通过自主研发的这项技术，SK海力士不仅击败了竞争对手美光半导体（Micron），还击败了DRAM市场排名第一的 ...

每经AI快讯，有投资者在投资者互动平台提问：有媒体报道称SK海力士在HBM内存中使用了MR-MUF技术。请介绍一下贵司的颗粒状高填充性MUF用环氧塑封料的开发生产情况，以及在HBM内存的应用前景。 飞凯材料（300398.SZ）7月13日在投资者互动平台表示，公司MUF材料 ...