近年来，芯片行业对SOT-MRAM技术开发越来越感兴趣。SOT-MRAM是一种很有前途的非易失性存储器，非常适合嵌入式存储器应用，例如高性能计算和移动应用中的L3(及以上)缓存。目前这一角色通常由超快速易失性静态RAM(SRAM)实现，但其对SRAM位密度的工艺升级限制 ...

编者按：实体器官移植（SOT）受者由于免疫功能低下，面临较高的感染风险，这不仅影响受者的生存质量，更对移植成功率构成严峻挑战。近年来，碳青霉烯耐药微生物（CRO）感染问题愈发凸显，其高病死率与治疗难度，已成为全球公共卫生领域的焦点议题，对 ...

随着人工智能时代来临，高性能和低功耗存储器的重要性愈发凸显，基于自旋轨道力矩写入机理的磁随机存储器（SOT-MRAM）因其超高速（亚纳秒级写入时间）、低功耗及无限次擦写特性，是缓存级非易失存储芯片的研发热点。知名集成电路研究机构和领先代工厂 ...

关注+星标公众号，不错过精彩内容！ 昨天半夜接到同事电话，说产线正在贴片，首件已经贴出，验证首件性能时遇到问题，现象是充电LED不亮。帮他回忆了一下电路原理，感觉这电路很简单，也不需要软件程序控制，完全是硬件自主控制，设计上只是一个简单 ...

IT之家 10 月 14 日消息，中国台湾阳明交通大学（NYCU）联合台积电、国立中兴大学（NCHU）、美国斯坦福大学等机构，成功攻克自旋轨道力矩磁阻式磁性存储器（SOT-MRAM）的核心材料难题。 SOT-MRAM 被视为下一代非挥发性存储技术的重要方向。该研究由阳明交通大学 ...