IBM和泛林集团宣布达成一项为期五年的合作计划，双方将利用高数值孔径（High NA）EUV光刻技术和泛林集团的Aether干法光刻胶技术，开发将逻辑芯片尺寸缩小至1nm以下所需的材料和制造工艺。该项目将在位于纽约州奥尔巴尼市的IBM研究院进行。

长期以来，2纳米以下芯片制造面临极大的工艺复杂度挑战。 全球半导体设备巨头阿斯麦（ASML）近日在圣何塞举行的技术会议上宣布，其研发的新一代高数值孔径极紫外光刻机（High-NA EUV）现已具备大批量生产能力。这一进展标志着半导体行业在攻克2纳米及更先进制程芯片的道路上取得了核心突破。2sQesmc 据路透社报道，ASML高级副总裁兼首席技术官Marco Pieters在会上披露了关键性能指标。

近日，科技领域迎来一则重磅合作消息，IBM与半导体设备制造商泛林（Lam Research）就亚1nm尖端逻辑制程的开发达成了为期5年的合作协议。此次合作将聚焦于新材料、先进蚀刻/沉积工艺以及High NA EUV光刻的联合开发，有望为半导体行业带来新的突破。

英特尔率先拿到该设备，无疑会极大地提升其芯片制造能力和效率。 光刻机一直是半导体领域的一个热门话题。 从早期的深紫外光刻机（DUV）起步，其稳定可靠的性能为半导体产业的发展奠定了坚实基础；再到后来的极紫外光刻机（EUV）以其独特的极紫外光源 ...