2024年12月12日，金融界报道，上海华虹宏力半导体制造有限公司向国家知识产权局申请了一项名为"提升RC-IGBT中FRD结构反向恢复能力的方法"的专利，公开号为CN119108346A，申请日期为2024年8月。此项专利的提出，标志着半导体技术在高效性和可靠性方面的又一次重大 ...